Свойства d-элементов 4-го периода.
Цель
работы - изучение химических свойств некоторых переходных металлов и их
соединений.
Металлы
побочных подгрупп, так называемые переходные элементы относятся к d - элементам,
поскольку в их ...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Введение.
В связи с возрастающим применением РЗМ и
различных материалов на их основе и с добавками редкоземельных металлов в
различных областях науки и техники, в частности, в химической,
металлургической, ...