Фазовые равновесия в системе MgS-Y2S3
Соединения с участием
РЗЭ остаются по прежнему обширным резервом для создания новых материалов.
Возможно создание материалов с уникальными, заранее заданными свойствами.
Взаимодействие в
...
Алюминий и основные его соединения
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...