Преимущество метода МЛЭ состоит в высокой точности задания концентрации легирующих примесей. Кроме того, данный метод позволяет размещать в оборудовании для МЛЭ приборы, дающие возможность анализировать параметры слоев непосредственно в процессе выращивания.
Рис. 1. Схема установки МЛЭ: I - зона генерации молекулярных пучков; II -зона смешивания испаряемых элементов; III - зона кристаллизации на подложке; 1 - блок нагрева; 2 - подложка; 3 - заслонка отдельной ячейки; 4 - эффузионнные ячейки основных компонентов пленки; 5 - эффузионнные ячейки легирующих примесей.
Рис. 2. Однородные островки Ge/Si.
Монокристаллический кремень
Основной объем
монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной
промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний,
используемый для производст ...
Высокомолекулярные соединения и поверхностно активные вещества
...
Методы атомно-эмиссионного спектрального анализа
Цель практического эмиссионного спектрального анализа состоит в
качественном обнаружении, в полуколичественном или точном количественном
определении элементов в анализируемом веществе. В зав ...