Осаждение кристаллов глутаминовой кислоты в изоэлектрической точке
Учим химию / Производство глутаминовой кислоты / Учим химию / Производство глутаминовой кислоты / Осаждение кристаллов глутаминовой кислоты в изоэлектрической точке Осаждение кристаллов глутаминовой кислоты в изоэлектрической точке

Эта стадия осуществляется путем подкисления полученного на предыдущем этапе концентрата соляной кислотой до рН 3,2 (изоэлектрическая точка глутаминовой кислоты) и охлаждения раствора до 4–15°С. Однократное проведение операции обеспечивает кристаллизацию 77% глутаминовой кислоты; при повторном ее проведении выход возрастает до 87%. Чистота получаемых кристаллов достигает 88%.

В результате последующей перекристаллизации чистоту получаемых кристаллов можно увеличить до 99,6%, что удовлетворяет требованиям фармакопеи. [2]

Смотрите также

Нуклеофильное замещение у тетраэдрического атома углерода
...

Высоко-молекулярные соединения
...

Экспериментальная часть
Измерения проводили по трехэлектродной схеме: рабочий электрод – стеклоуглеродный стержень (Æ 0,7 мм), вспомогательный электрод – стеклоуглеродный тигель (V = 25 см3) и электрод сравнения – хл ...