Рентгеновский лазер или лазер на свободных электронах XFEL (англ. Х-Ray Free Electron Laser) — один из многих перспективных лазеров. В отличие от газовых, жидкостных или лазеров твердого тела, где электроны возбуждаются в связанных атомных или молекулярных состояниях, у XFEL источником излучения является пучок свободных электронов, проходящий сквозь ряд расположенных специальным образом магнитов - ондулятор (вигглер), заставляющий пучок двигаться по синусоидальной траектории, теряя энергию, которая преобразуется в поток фотонов. Лазерный луч, как и в других лазерах, собирается и усиливается системой зеркал, установленных на концах вигглера. В результате вырабатывается мягкое рентгеновское излучение. Меняя энергию электронного пучка, а также параметры вигглера (силу магнитного поля и расстояние между магнитами), можно в широких пределах менять частоту лазерного излучения, вырабатываемого XFEL. Это главное отличие XFEL от лазеров других систем. Излучение, получаемое с помощью XFEL, применяется для изучения нанометровых структур. Есть опыт получения изображений частиц размером всего 100 нанометров. Этот результат был достигнут с помощью рентгеновской микроскопии с разрешением около 5 нм.
Химическое действие света. Фотография
Квантовым законам подчиняется поведение всех микрочастиц. Но
впервые квантовые свойства материи были обнаружены при исследовании излучения и
поглощения света.
Поглощается и излу ...
Определение степени полимеризации целлюлозы
Молекулярная масса целлюлозы является одной из
важнейших ее характеристик и в значительной степени определяет как области
практического использования различных препаратов целлюлозы, так и
ф ...
Определение свойств газов
Общие сведения о свойствах
газов
В природе в
нормальных условиях (при комнатной температуре и атмосферном давлении)
сравнительно немногие химические вещества находятся в газообразном сос ...