Рентгеновский лазер или лазер на свободных электронах XFEL (англ. Х-Ray Free Electron Laser) — один из многих перспективных лазеров. В отличие от газовых, жидкостных или лазеров твердого тела, где электроны возбуждаются в связанных атомных или молекулярных состояниях, у XFEL источником излучения является пучок свободных электронов, проходящий сквозь ряд расположенных специальным образом магнитов - ондулятор (вигглер), заставляющий пучок двигаться по синусоидальной траектории, теряя энергию, которая преобразуется в поток фотонов. Лазерный луч, как и в других лазерах, собирается и усиливается системой зеркал, установленных на концах вигглера. В результате вырабатывается мягкое рентгеновское излучение. Меняя энергию электронного пучка, а также параметры вигглера (силу магнитного поля и расстояние между магнитами), можно в широких пределах менять частоту лазерного излучения, вырабатываемого XFEL. Это главное отличие XFEL от лазеров других систем. Излучение, получаемое с помощью XFEL, применяется для изучения нанометровых структур. Есть опыт получения изображений частиц размером всего 100 нанометров. Этот результат был достигнут с помощью рентгеновской микроскопии с разрешением около 5 нм.