Геометрия молекул. Теория ЛЭП. Элементы стереохимии
Специалисты
по структурному анализу считают этот раздел стереохимии одинаково важным и
увлекательным и для школьника, и для академика. У этого раздела один “большой
недостаток”.
Он
оди ...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Введение.
Уравнение
Ван-дер-Ваальса используется при исследовании процессов разделения и является
базовым уравнением при качественном исследовании этих процессов.
Распространение уравнения такого типа на мно ...