Экспериментальная часть.
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Получение н-бутиленов дегидрированием н-бутана
н-бутилен, н—С4Н8,
находит применение, как сырье для получения метилэтилкстона, являющегося ценным
растворителем; служит исходным веществом в производстве СК через
дивинил, используется для ...