Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Исследование комплексообразования ПКЭАК с ионами двухвалентных металлов
Актуальность темы
Известно, что
число полиамфолитов и полимерных бетаинов весьма ограничено. Линейные и
слабосшитые полимерные бетаины, содержащие кислотные и основные функциональные
гру ...
Химические волокна
За последние 100 лет население Земли удвоилось. Но еще
больше возросли потребности людей. Выработка природных волокон – шерсти,
хлопка, натурального шелка, льна, конопли – стала заметно отст ...
Определение оптимальных рабочих параметров процесса экстрактивной ректификации смеси ацетон-хлороформ в сложной колонне с боковой секцией
Ацетон
и хлороформ входят в состав смеси растворителей, применяемых в производстве термостабилизатора
стабилина-9. Для их регенерации
в [1] было предложено использовать экстрактивную ректиф ...