Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Получение платины из стоков процесса рафинирования металлов платиновой группы
В ходе работ по
выделению ценных элементов из стоков процесса рафинации платиновых металлов
было установлено, что все возможные методы, дающие отличные результаты при
использовании синтетич ...
Определение фенола методом броматометрического титрования
...
Исследование свойств хрома и его соединений
Хром и его
соединения активно используются в промышленном производстве, особенно в
металлургии, химической, огнеупорной промышленности. Область его применения
достаточно широка, поэтому угл ...