Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Алифатические амины
Амины - производные аммиака, в которых атомы водорода замещены на
углеводородные радикалы. Амины классифицируют по числу атомов водорода,
замещенных на углеводородные радикалы. Различают первичные R ...
Высоко-молекулярные соединения
...
Индол. Порфин. Тетраазапорфин. Фталоцианины
Введение
Гетероциклическими
называют соединения, содержащие циклы, включающие один или несколько
гетероатомов. Наиболее устойчивыми являются пяти- и шестичленные циклы.
Гетероцикли ...