Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Переработка полимерных материалов
В настоящее время
предусматривается дальнейшее улучшение обслуживания населения страны всеми
видами транспорта, в том числе и железнодорожным транспортом. Решение этой
проблемы возможно не ...
Свойства элементов подгруппы VIВ и VIIВ
Цель
работы:
изучение химических свойств элементов подгруппы хрома и марганца.
Хром,
молибден и вольфрам составляют VIB группу периодической системы. В невозбужденном
состоянии электронное стро ...
Электролиз.
Цель работы - ознакомление
с процессами, протекающими на растворимых и нерастворимых электродах при
электролизе водных растворов электролитов.
Электролиз - это
окислительно-восстановительный ...