Монокристаллический кремень
Библиотека / Библиотека / Монокристаллический кремень Монокристаллический кремень

Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.

Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.

Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.

Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.

Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.

Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.

    Смотрите также

    Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
    С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

    Программа дисциплины "Биохимия молока и мяса"
    ...

    Получение препаратов протеиназы penicillium wortmannii 2091 и исследование их физико-химических свойств.
    Известно, что микроорганизмы синтезируют богатые набором ферментов комплексы. Поэтому важным этапом в получении препаратов направленного действия является изучение условий их выделения, очистки от ...