Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Разложение клетчатки микроорганизмами
Еще в
древности при построении деревянных судов для защиты дерева использовали
асфальт. Во времена Римской империи суда обивали металлическими листами. Выбор
материалов производился экспери ...
Выводы.
1.
Показано, что все исследованные способы модификации, СПИ
белковыми компонентами, позволяют п ...
Кремнийорганические полимеры
Полимером
называется органическое вещество, длинные молекулы которого построены из
одинаковых многократно повторяющихся звеньев - мономеров.
Размер молекулы
полимера определяется степень ...