Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского.
Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Рост кристаллов по методу Чохральского заключается в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела Скорость роста определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями теплопереноса на границе раздела фаз. Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом, которая является функцией радиального градиента температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Атомы и молекулы
Любое вещество состоит из ничтожно малых частиц – так называемых атомов. Часто атомы объединяются в группы, которые называют молекулами. Размеры атомов настолько малы, что увидеть их через обычн ...
Концентрирование карбамида
Карбамид (мочевина) СО(NH2)2 представляет
собой амид карбаминовой кислоты.
Карбамид выпускается в виде гранул или
кристаллов. В данном производстве карбамид выпускается в виде ...
Атомно-абсорбционный анализ
Многие тяжелые металлы, такие как железо, медь, цинк,
молибден, участвуют в биологических процессах и в определенных количествах
являются необходимыми для функционирования растений, животных ...