Устройство для управления составом атмосферы.
Библиотека / Монокристаллический кремень / Библиотека / Монокристаллический кремень / Устройство для управления составом атмосферы. Устройство для управления составом атмосферы.

Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме, что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эрозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния.

Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и, кроме того, имеет ряд преимуществ, в частности, способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предотвращает ее осаждение на стенках камеры. При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы: аргон и гелий.

Инертные газы могут находиться при атмосферном или пониженном давлении. В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняется его низкой стоимостью.

Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг выращенного кремния. Аргон поступает в камеру при испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты в отношении содержания влаги, углеводородов, и других примесей.

Смотрите также

 Определение константы скорости реакции k по первым 3-м опытам
Из вида кинетического уравнения следует, что его единственным параметром является константа скорости реакции k. Для определения значения константы скорости воспользуемся статистическим методом регр ...

Ациклические непредельные углеводороды (алкены)
...

Фтор
ФТОР (лат. Fluorum), F, химический элемент с атомным номером 9, атомная масса 18,998403. Природный фтор состоит из одного стабильного нуклида 19F. Конфигурация внешнего электронного слоя 2s2 ...