Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме, что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эрозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния.
Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и, кроме того, имеет ряд преимуществ, в частности, способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предотвращает ее осаждение на стенках камеры. При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы: аргон и гелий.
Инертные газы могут находиться при атмосферном или пониженном давлении. В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняется его низкой стоимостью.
Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг выращенного кремния. Аргон поступает в камеру при испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты в отношении содержания влаги, углеводородов, и других примесей.
Алкадиены. Каучук
Алкадиены, или диеновые углеводороды, — непредельные углеводороды,
содержащие в углеродной цепи молекулы две двойные связи.
...
Амины жирного ряда (алифатические амины)
Изомерия в ряду алифатических аминов связана с изомерией
углеводородного радикала и количеством заместителей у атома азота.
Многие амины имеют тривиальные названия. По рациональной
номенклатуре н ...
Растворы и растворимость
Если в сосуд с водой поместить кристаллы поваренной
соли, сахара или перманганата калия (марганцовки), то мы можем наблюдать, как
количество твердого вещества постепенно уменьшается. Пр ...