Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме, что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эрозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния.
Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и, кроме того, имеет ряд преимуществ, в частности, способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предотвращает ее осаждение на стенках камеры. При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы: аргон и гелий.
Инертные газы могут находиться при атмосферном или пониженном давлении. В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняется его низкой стоимостью.
Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг выращенного кремния. Аргон поступает в камеру при испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты в отношении содержания влаги, углеводородов, и других примесей.
Расчет ректификационной установки для разделения бинарной смеси ацетон-бензол
Ректификация - один из самых распространенных
технологических процессов в химической, нефтеперерабатывающей и, во многих
других отраслях промышленности.
Ректификация - это процесс раздел ...
Обзор источников образования тяжелых металлов
Тяжелые
металлы применяются во многих отраслях промышленности, таких как металлургия,
химическая технология, электрохимия, резиновая, текстильная, фарфоровая и
другие. В производственных пр ...
Химическая связь и строение молекул.
Свойства вещества определяются его химическим
составом, порядком соединения в молекулу атомов и их взаимным влиянием. Теория
строения атомов объясняет механизм образования молекул и природу химическ ...