Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме, что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эрозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния.
Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и, кроме того, имеет ряд преимуществ, в частности, способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предотвращает ее осаждение на стенках камеры. При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы: аргон и гелий.
Инертные газы могут находиться при атмосферном или пониженном давлении. В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняется его низкой стоимостью.
Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг выращенного кремния. Аргон поступает в камеру при испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты в отношении содержания влаги, углеводородов, и других примесей.
Роль свободных радикалов в природной среде
Вся
природа, окружающая нас, состоит из химических веществ и их соединений
различной структуры. Их все можно разделить на различные группы по самым
разнообразным признакам: состав, строение ...
Новые современные коагулянты в технологии очистки сточных вод
Загрязнение природных вод – основных источников водоснабжения
населения приобрело за последние годы, угрожающие размеры. Это особенно
относится к сточным водам с фармацевтических и хими ...
Анализ индивидуального риска событий узла пиролиза этановой фракции
...