SiemensSiHCl3Односта-7-12: 137-480,2-0,4

(Германия) дийная

В некоторых схемах (например, фирма Montedison) из конденсата хлоридов выделяют тетрахлорсилан, который в дальнейшем либо уничтожают, либо перерабатывают на побочную продукцию: диоксид кремния - аэрозоли, этилсиликаты, органосиланы, силиконы, синтетический кварц.

Сравнение производств полупроводникового кремния методами термического разложения моносилана (ТРМ) и водородного восстановления хлорсиланов (ВВХ)

ПоказателиТРМВВХ

Температура, оС 8001050

Выход,%> 9525-30

Скорость осаждения, 0,45,4

кг/м2. ч

Энергозатраты, 360-460<250

мдж/кг

Состав оборотных >98%H2Смесь: H2,

газовСледы SiH4SiHCl3,SiCl4SiH2Cl2

Материальные затраты

на отдельные стадии

Ппроизводств,%

Ректификация 1916

Реактор разложения 64 32

Разделение оборотных газов- 30

Другие затраты 1722

Производство методом ВВХ по сравнению с ТРМ имеет преимущество в дешевизне продукции и безопасности, однако проигрывает в чистоте получаемого кремния, его однородности и в степени использования сырья.

Предприятия, работающие по методу ВВХ, в оборудовании применяют серий ные материалы, а по методу ТРМ – специальные, более стойкие к повышенному давлению и температурам. Реактора разложения ВВХ проще по конструкции и, следовательно, дешевле.

Основные направления развития производств полупроводникового кремния.