Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Исследование совместного электровосстановления гадолиния и
алюминия в галогенидных расплавах.
Из анализа
литературных данных следует, что процесс электровосстановления алюминия из
хлоридных и фторидных расплавов изучался в основном на платиновом электродах.
Электровосстановление
алюминия ...
Реакторы идеального вытеснения
Вариант № 14
реактор газовый
поток вытеснение
В Р.И.В. Проводят
окисление SO2. Объем реакционной зоны 150 м2. Объемный расход смеси 50000 м3/г. Состав исходной смеси SO2 – 0,1; O2 – 0, ...