Судя по потенциалу выделения щелочного металла, можно сделать вывод, что при увеличении концентрации фторид-иона в расплаве, потенциал катодной волны восстановления смещается в отрицательную область.
При увеличении концентрации фторид-иона наблюдается увеличение наклона вольтамперной кривой, хотя более прочный чисто фторидный комплекс AlF63- будет разряжаться труднее (более необратимо). Причина заключается в том, что при больших избытках фторид-иона ион алюминия прочно закомплексован в AlF63- и вольтамперная кривая является волной восстановления одного комплекса AlF63-.
Такой вывод можно сделать также и при рассмотрении анодной ветви циклической хроновольтамперограммы при добавлении фторида натрия. Если в чисто хлоридных расплавах анодная волна растянута по потенциалу и нечетко выражена, то при добавлении фторид-иона на анодных участках пик появляется и смещается в отрицательную область потенциалов.
При более чем 10-кратном избытке фторид-иона по отношению к криолиту, на циклической вольтамперограмме наблюдается четкая волна анодного растворения продуктов катодного цикла.
С увеличением концентрации F--иона разность потенциалов существенно уменьшается. Основываясь на вышеприведенных данных о влиянии на электровосстановление фторалюминат-иона фторид-иона, определенный интерес представляет процесс электровосстановления в хлоридно-фторидных расплавах KCl-NaCl-NaF (10 мас.%). В этот расплав вводится такое количество фторид-иона, который обеспечивал бы полную закомплексованность иона Al3+ фторид-ионами.
Таблица 3.1
Электрохимические параметры электровосстановления Na3AlF6 в расплаве
NaCl - KCl – NaF (10 вес.%) на серебряном электроде. Т = 973 К.
C(LaCl3), моль/см3 |
v, В/с |
v1/2 |
ip,, мА/см2 |
|
-jp, B |
-jp/2, B |
Dj, B |
8,0·10-5 |
0,1 |
0,3162 |
80 |
253,16 |
1,47 |
1,37 |
0,10 |
0,2 |
0,4472 |
110 |
246,08 |
1,43 |
1,37 |
0,06 | |
0,5 |
0,7071 |
170 |
240,45 |
1,32 |
1,23 |
0,09 | |
1,0·10-4 |
0,2 |
0,4472 |
135 |
302,01 |
1,42 |
1,35 |
0,07 |
0,5 |
0,7071 |
201 |
284,30 |
1,52 |
1,375 |
0,145 | |
3,0·10-4 |
0,1 |
0,3162 |
310 |
918,00 |
1,55 |
1,35 |
0,20 |
0,2 |
0,4472 |
420 |
939,59 |
1,58 |
1,41 |
0,17 | |
0,5 |
0,7071 |
850 |
1202,26 |
1,67 |
1,42 |
0,25 | |
0,5 |
0,7071 |
820 |
1159,83 |
1,67 |
1,46 |
0,21 | |
3,0·10-4 |
0,1 |
0,3162 |
492,30 |
1557,91 |
1,66 |
1,46 |
0,20 |
0,1 |
0,3162 |
507,69 |
1606,62 |
1,66 |
1,46 |
0,20 | |
0,2 |
0,4472 |
646,15 |
1445,53 |
1,70 |
1,49 |
0,21 | |
0,5 |
0,7071 |
484,00 |
684,58 |
1,77 |
1,50 |
0,27 |
Обозначения.
Vп
Мольный
объем паровой фазы
Vж
Мольный
объем жидкой фазы
Sп
Мольная
энтропия паровой фазы
Sж
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Вулканизация каучуков
Фторкаучуки вулканизуются
при нагревании смесей, содержащих вулканизующие агенты, или под действием
излучений высокой энергии. Степень радиационной вулканизации фторкаучуков тем
выше, чем больше со ...