Заключение
В ходе проведенной работы были рассчитаны
геометрические параметры соединений сульфаниламидного ряда и предсказана
вероятность проявления ими некоторых видов физиологической активности. Результатом
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...