|
В общем виде нахождение коэффициентов производят методом наименьших квадратов, вычисляя матрицу |
из матричного произведения:
|
, |
где В – искомая матрица коэффициентов, Х – матрица, содержащая значения хi для каждой точки отбора, Y – матрица экспериментально полученных концентраций.
Для опыта № 1.
|
Расчет коэффициентов уравнения регрессии, концентраций и скоростей реакции в каждой точке отбора: |
|
1 |
1 |
1 |
1 | |
|
1 |
2 |
4 |
8 | |
|
1 |
3 |
9 |
27 | |
|
Х= |
1 |
4 |
16 |
64 |
|
1 |
5 |
25 |
125 | |
|
1 |
6 |
36 |
216 | |
|
1 |
8 |
64 |
512 | |
|
1 |
10 |
100 |
1000 |
|
0.119 | |
|
0.081 | |
|
0.05 | |
|
Y= |
0.032 |
|
0.021 | |
|
0.013 | |
|
0.005 | |
|
0.002 |
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Обсуждение результатов
Полученные ранее на кафедре ХТООС МИТХТ им. М.В.Ломоносова
данные [25, 26] показывают, что в системах KI - PdI2 –
фенилацетилен (ФА) и KI - PdI2 – метилацетилен (МА) наблюдаются
развитые релаксацио ...
Влияние добавок на устойчивость пероксида водорода в водных растворах
В настоящее время
пероксид водорода H2O2 находит широкое применение,
особенно в медицине, где его используют в качестве:
- антисептика в
концентрации 3%;
- стерилизующего
агента в ко ...