Небольшая разница возникает из-за погрешности вычисления.
6) Вычисление стандартного сродства
веществ А и В при 500 К;
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Общая и неорганическая химия
...
Особенности сорбционного извлечения палладия (II) из хлоридных растворов волокнами ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ
Одним из
перспективных направлений в комплексном решении экологических проблем является
разработка высокоэффективных процессов очистки промышленных газовоздушных
выбросов, сточных вод и сре ...