Небольшая разница возникает из-за погрешности вычисления.
6) Вычисление стандартного сродства
веществ А и В при 500 К;
Научные основы технологии и оборудования гранулирования активных масс и формования положительных
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...