В рамках ТКП высокоспиновый комплекс
с электронной конфигурацией
будет менее устойчив (ЭСКП = 0,4Δ), чем низкоспиновый (электронная конфигурация
ЭСКП = 2,4
).
Распределение электронов между нижним (dγ) и верхним (dε) уровнями в тетраэдрических комплексах также зависит от соотношения Δ и P, но поскольку Δтетр < Δокт, тетраэдрические комплексы обычно остаются высокоспиновыми.
В отличие от метода валентных связей, ТКП, основываясь на электронной конфигурации центрального атома, положении лигандов в спектрохимическом ряду и симметрии комплекса, позволяет не только объяснять, но и предсказывать магнитные и спектроскопические свойства комплексов.
С физической точки зрения ТКП является весьма приближенной, поскольку учитывает только электростатическое взаимодействие между комплексообразователем и лигандами. ТКП не дает объяснения устойчивости комплексов с электронными конфигурациями центрального атома d0 и d10, однако существование подобных комплексов легко объяснимо с позиций метода молекулярных орбиталей.
Понятие химических реакций и их классификация
Вещества,
взаимодействуя друг с другом, подвергаются различным изменениям и превращениям.
Например, бериллий взаимодействуя с кислородом воздуха при температуре свыше
500оС, превращается в ...
Рефрактометрический метод анализа в химии
Рефрактометрический метод имеет многолетнюю историю
применения в химии.
Рефрактометрия
(от латинского refraktus
– преломлённый и греческого metréō – мерю, измеряю) – это разд ...