В рамках ТКП высокоспиновый комплекс
с электронной конфигурацией
будет менее устойчив (ЭСКП = 0,4Δ), чем низкоспиновый (электронная конфигурация
ЭСКП = 2,4
).
Распределение электронов между нижним (dγ) и верхним (dε) уровнями в тетраэдрических комплексах также зависит от соотношения Δ и P, но поскольку Δтетр < Δокт, тетраэдрические комплексы обычно остаются высокоспиновыми.
В отличие от метода валентных связей, ТКП, основываясь на электронной конфигурации центрального атома, положении лигандов в спектрохимическом ряду и симметрии комплекса, позволяет не только объяснять, но и предсказывать магнитные и спектроскопические свойства комплексов.
С физической точки зрения ТКП является весьма приближенной, поскольку учитывает только электростатическое взаимодействие между комплексообразователем и лигандами. ТКП не дает объяснения устойчивости комплексов с электронными конфигурациями центрального атома d0 и d10, однако существование подобных комплексов легко объяснимо с позиций метода молекулярных орбиталей.
Проект ректификационной установки непрерывного действия для разделения смеси метиловый - этиловый спирт
Ректификация - массообменный процесс, который осуществляется в большинстве
случаев в противоточных колонных аппаратах с контактными элементами (насадки,
тарелки), аналогичными используемыми ...
Двухупаковочные полиуретановые лакокрасочные материалы
Ни
один класс пленкообразователей не обладает таким многообразием свойств, как
полиуретаны (ПУ), которые позволяют получать покрытия с заранее заданными
свойствами.
В
настоящее время н ...
Фотохимические процессы в верхних слоях атмосферы
Атмосфера
начала образовываться вместе с формированием Земли. Некоторые геологические
процессы, например, излияния лавы при извержениях вулканов сопровождались
выбросом газов из недр Земли. ...