Важнейшие характеристики диэлектриков
Страница 2

Тангенс диэлектрических потерь определяется соотношением:

"/` = tg (4)

Величина tgd для высококачественных диэлектриков составляет порядка 0,001. Например для керамических конденсаторов номиналом (емкостью С) 10 .50 пФ tgd не превышает 1,5(150/С+7).

10-4. Для конденсаторов номиналом С > 50 пФ tgd не выше 0,0015. Для конденсаторов с емкостью порядка 0,01 мкФ tg ~ 0,035.

Характеристики диэлектриков определяют с использованием вольт-емкостных (C-V) или вольт-фарадных (ВФХ) методов [15].

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Кристаллогенезис - возникновение, рост и разрушение кристаллов
Кристаллогенезис – возникновение, рост и разрушение кристаллов Для понимания процессов, приводящих к зарождению и росту кристаллов, необходимы знания из области физики, химии, кристаллог ...

Гравиметрический анализ
...

Химическое и адсорбционное равновесие.
Цель работы  -  изучение влияния различных факторов на химическое равновесие, изучение зависимости величины адсорбции от равновесной концентрации адсорбата. Понятие "химическое равновесие&q ...