Тангенс диэлектрических потерь определяется соотношением:
"/` = tg (4) |
Величина tgd для высококачественных диэлектриков составляет порядка 0,001. Например для керамических конденсаторов номиналом (емкостью С) 10 .50 пФ tgd не превышает 1,5(150/С+7).
10-4. Для конденсаторов номиналом С > 50 пФ tgd не выше 0,0015. Для конденсаторов с емкостью порядка 0,01 мкФ tg ~ 0,035.
Характеристики диэлектриков определяют с использованием вольт-емкостных (C-V) или вольт-фарадных (ВФХ) методов [15].
Методы получения наночастиц
Изучение
наноструктур интенсивно началось примерно двадцать лет назад, и уже занимает
определенное место в сфере применения. Хотя слово нанотехнология является
относительно новым, устройств ...
Изучение растворимости бензоата свинца в различных растворителях
Знание
растворимости какого-либо продукта изучаемого взаимодействия, в частности в нашем
случае бензоата свинца, имеет большое значение при решении различных практических
задач [1]. Наприме ...
Получение серной кислоты путем переработки отходов производства диоксида титана
Сернокислотный
метод производства диоксида титана из ильменита и титановых шлаков имеет ряд
существенных недостатков — сложная многостадийная схема, высокий расход серной
кислоты, значитель ...