Расчет термодинамических характеристик процесса сорбции палладия на волокнах ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ.
Дипломы, курсовые и прочее / Особенности сорбционного извлечения палладия (II) из хлоридных растворов волокнами ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ / Дипломы, курсовые и прочее / Особенности сорбционного извлечения палладия (II) из хлоридных растворов волокнами ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ / Расчет термодинамических характеристик процесса сорбции палладия на волокнах ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ. Расчет термодинамических характеристик процесса сорбции палладия на волокнах ЦМ-А2, Мтилон-Т и ВАГ.
Страница 1

Статистические параметры: Р=0,95; N=3.

При 20˚С.

Сисх, мг/мл

Сравн, мг/мл

а1, мгэкв/г

а2, мгэкв/г

а3, мгэкв/г

аср, мгэкв/г

S

W

Краспр.

ЦМ-А2

2,10

1,60

1,46

2,13

2,13

1,91

0,00

0,00

7,96

1,69

1,18

1,57

1,91

2,25

1,91

0,03

4,21

9,26

1,24

0,75

1,94

1,78

1,78

1,83

0,03

2,78

11,35

0,78

0,41

1,40

1,40

1,40

1,40

0,02

2,86

13,44

0,61

0,26

1,38

1,27

1,27

1,30

0,02

1,92

16,20

0,35

0,09

0,98

0,98

0,95

0,97

0,04

5,00

23,40

Мтилон-Т

2,13

1,39

2,58

2,92

2,92

2,81

0,01

5,57

10,36

1,57

0,84

2,67

2,84

2,67

2,73

0,03

7,32

13,10

1,30

0,62

2,50

2,50

2,67

2,56

0,04

3,64

14,79

0,94

0,35

2,25

2,19

2,19

2,21

0,03

6,51

18,16

0,59

0,14

1,67

1,74

1,67

1,69

0,00

0,00

25,24

0,31

0,04

0,99

1,04

1,04

1,02

0,01

5,57

38,98

ВАГ

2,52

1,98

2,02

2,02

2,02

2,02

0,02

3,15

7,35

1,92

1,39

2,13

1,79

2,13

2,02

0,03

4,84

8,78

1,45

0,98

1,72

1,88

1,72

1,77

0,00

0,00

9,81

1,06

0,66

1,44

1,44

1,60

1,49

0,00

0,00

10,91

0,50

0,22

1,13

1,00

1,00

1,04

0,03

3,66

15,71

0,35

0,11

0,92

0,88

0,88

0,89

0,02

3,15

20,29

Страницы: 1 2 3 4

Смотрите также

Фенолы. Реакции нуклеофильного замещения ароматических соединений. Получение фенолов
...

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Определение содержания германия в твердом электролите GeSe-GeJ2
...