Элементыns2np1–5

Плотностьρ, г∙см–3

tпл, °C

tкип, °C

Потенциал ионизации, эВ

Атомный радиус, нм

ЭО

Степень окисления

Кислотно-основные свойства

B

ns2np1

2,33

2030

2530

8,30

0,095

2,0

+3

Al

2,70

659

2447

5,98

0,143

1,5

+1, +2, +3

Al(OH)3 (амф)

Ga

5,91

29,8

2227

6,00

0,122

1,6

+1, +2, +3

Ga(OH)3, GaO(OH)

In

7,30

156

2047

5,79

0,162

1,7

+1, +2, +3

In(OH)3

Tl

11,85

304

1457

6,11

0,167

1,8

+1, +3

Tl(OH)3 (сл. осн), TlOH(с. осн.)

C

ns2np2

2,2 (гр)

3800

–

11,26

0,077

2,5

–4, +2, +4

H2CO3

Si

2,33

1423

2355

8,15

0,117

1,8

–4, +2, +4

H2SiO3, H4SiO4

Ge

5,33

937

2830

7,90

0,122

1,8

–4, +2, +4

H4ЭO4 (c. к.), Э(OH)2 (сл. осн.)

Sn

7,29 (β)

232

2687

7,34

0,140

1,8

+2, +4

Pb

11,34

327

1751

7,42

0,175

1,8

+2, +4

N

ns2np3

0,88 (ж)

–210

–196

14,53

0,070

3,0

–3, –2, –1, +1, +2, +3, +4, +5

HNO3, HNO2 (сл.к.)

P

1,82 (бел)

44,2

281

10,48

0,110

2,1

–3, –2, –1, +1, +3, +4, +5

HPO3, H3PO4, H4P2O7, H5P3O10

As

5,72

815

613

9,81

0,118

2,0

–3, +3, +5

H3AsO4 (сл.к.)

Sb

6,69

631

1637

9,64

0,136

1,9

–3, +3, +5

Sb(OH)3 (амф)

Bi

9,79

271

1560

7,29

0,146

1,9

–3, +3, +5

Bi(OH)3 (осн)

O

ns2np4

1,29 (ж)

–219

–183

13,62

0,066

3,5

–2, –1, +1, +2

H2O (амф.)

S

2,07

115

445

10,36

0,105

2,5

–2, +2, +4, +6

H2Э (сл.к.)H2ЭO3 (сл.к.)H2ЭO4 (с.к.)H2SeO4 сильнее H2TeO4

Se

4,79

217

685

9,75

0,116

2,4

–2, +4, +6

Te

6,25

450

990

9,01

0,143

2,1

–2, +4, +6

Po

9,32

282

962

8,43

0,176

2,0

–2, +4, +6

F

ns2np5

1,51 (ж)

–219

–183

17,4

0,064

4,0

–1

HF

Cl

1,57 (ж)

–101

–34

13,0

0,099

3,0

–1, +1, +3, +5, +7

HCl, HClO, HClO2, HClO3, HClO4

Br

3,14 (ж)

–8,25

58

11,8

0,114

2,8

–1, +1, +3, +5, +7(неуст)

HBr, HBrO3

I

4,93 (кр)

113,6

183

10,5

0,133

2,5

–1, +1, +3, +5, +7

HI, H5IO6