Селективность.

поскольку степень превращения равна 100%.

Смотрите также

Радиометрические методы анализа
...

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Развитие химии в XIX веке
...