Изомерия

Изомерия галогенпроизводных зависит от строения углеводородного скелета и положения атома галогена в цепи СnH2n+1Hlg.

Номенклатура:

Смотрите также

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Исследование возможностей синтеза фенилселиконатов натрия, содержащих в своем составе атом кобальта
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение Дальневосточный Федеральный Университет Институт химии и прик ...

Экспериментальные результаты и обсуждения
  Зависимости поверхностного давления от площади, приходящейся на одну молекулу (p-A изотермы) для гомо - и гетеромолекулярных плавающих слоев на основе С60, ДБ24К8 и магнитного комплекс пр ...