Исследование 1
|
Вариант – номер задания |
Схема реакции аА + bB = cC + dD |
Интервал температур Тн - Тк | |||
|
Компоненты | |||||
|
А |
В |
С |
D | ||
|
1-6 |
Н2S(г) |
CO2(г) |
H2O(г) |
COS(г) |
800-1700 |
Исследование 2
|
№ п/п |
Шаг в градусах, Т |
Фактический состав смеси, об. % |
Общее давление, Р, гПа |
Темпера-тура, К | |||
|
Компоненты | |||||||
|
А |
В |
С |
D | ||||
|
1-6 |
100 |
10 |
30 |
30 |
30 |
1013 |
1300 |
Поливинилхлорид
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Разделение урана и тория с помощью тонкослойных неорганических сорбентов
Цель работы:
Концентрирование микроколичеств тория из
водного раствора соли уранила.
Уран и торий являются наиболее
распространенными природными радиоактивными элементами. Три естестве ...