Параметры изготовления изделий

· Температура литья: Т = 230 ± 5°

· Давление литья: Р = 140 МПа

Время выдержки под давлением: t выд = 14 сек

Смотрите также

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Геометрия молекул. Теория ЛЭП. Элементы стереохимии
Специалисты по структурному анализу считают этот раздел стереохимии одинаково важным и увлекательным и для школьника, и для академика. У этого раздела один “большой недостаток”. Он оди ...

Нуклеиновые кислоты
...