K=0,876; t=13°С
![]() |
от концентрации в координатах Λс -
Высокомолекулярные соединения и поверхностно активные вещества
...
Нуклеофильное замещение у тетраэдрического атома углерода
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...