B2 |
C2 |
N2 |
N2+ | |
σx* |
|
|
|
|
πy*, πz* |
|
|
|
|
σx |
|
|
|
|
πy, πz |
|
|
|
|
σs* |
|
|
|
|
σs |
|
|
|
|
Порядок связи |
1 |
2 |
3 |
2,5 |
Длина связи, нм |
0,159 |
0,131 |
0,110 |
0,112 |
Энергия связи, кДж∙моль–1 |
288,4 |
627 |
842 |
828 |
O2+ |
O2 |
F2 |
(Ne2) | |
σx* |
|
|
|
|
πy*, πz* |
|
|
|
|
πy, πz |
|
|
|
|
σx |
|
|
|
|
σs* |
|
|
|
|
σs |
|
|
|
|
Порядок связи |
2,5 |
2 |
1 |
0 |
Длина связи, нм |
0,112 |
0,121 |
0,142 |
– |
Энергия связи, кДж∙моль–1 |
629 |
494 |
159 |
– |
Процесс катализа
...
Геометрия молекул. Теория ЛЭП. Элементы стереохимии
Специалисты
по структурному анализу считают этот раздел стереохимии одинаково важным и
увлекательным и для школьника, и для академика. У этого раздела один “большой
недостаток”.
Он
оди ...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...