Выше 200°С, т. е. вблизи точки плавления олова, оно легко переходит в третью модификацию, имеющую плотность 6,6 и отличающуюся большой хрупкостью. В этой форме оно легко растирается в порошок.
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Разработка основ технологии и оборудования для электрохимического производства нитрата графита
...
Металлы побочной подгруппы I группы
Мета́лл
(название происходит от лат. metallum — шахта) — группа элементов, обладающая
характерными металлическими свойствами, такими как высокая тепло- и
электропроводность, положитель ...