Смотрите также

Проблемы и решения на уровне учения о составе
Способ решения основной проблемы химии - проблемы происхождения свойств веществ - стал выражаться посредством схемы: СОСТАВ → СВОЙСТВА Этот способ положил начало учению о составе веществ, ...

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Атом гелия. Двухэлектронный коллектив на примере атома гелия
1.      Обозначение электронной конфигурации – это последовательное перечисление АО с указанием числа электронов справа от символа АО. 2.      ...