Температурные зависимости d<U/N>/dT и d<m>/dT для 512-звенной гетерополимерной цепи. [3]
Проблемы и решения на уровне учения о составе
Способ решения
основной проблемы химии - проблемы происхождения свойств веществ - стал
выражаться посредством схемы: СОСТАВ → СВОЙСТВА
Этот способ
положил начало учению о составе веществ, ...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Атом гелия. Двухэлектронный коллектив на примере атома гелия
1. Обозначение электронной конфигурации – это последовательное перечисление АО с указанием числа электронов справа от символа АО.
2. ...