Определение длительности  исследования
Страница 3

Страницы: 1 2 3 

Смотрите также

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Молибден
...

Технология переработки из расплавов аморфных и кристаллизующихся веществ
Промышленность пластмасс развивается сегодня исключительно высокими темпами. Начиная с 60-х годов, производство полимеров, основную долю которых составляют пластмассы, удваивается через кажд ...