Рис.15. Полупроводниковый окисный газоанализатор: 1-подложка; 2-контакты; 3-чувствит. слой; 4-нагреват. элемент; 5-вторичный прибор; 6-источник напряжения.

В полупроводниковых газоанализаторах с кристаллическими чувствительными элементами измеряют проводимость монокристалла или более сложной полупроводниковой структуры с р-n-переходами при изменении зарядового состояния поверхности, т.е. концентрации или распределения зарядов на ней. Например, для определения Н2 используют чувствительные элементы в виде системы слоев металл - диэлектрик - полупроводник (канальные транзисторы), причем верхний металлический слой получают из Pd или его сплавов. Изменение зарядового состояния поверхности достигается изменением контактной разности потенциалов между полупроводником и Pd при растворении в последнем Н2, присутствующего в анализируемой смеси. Диапазон измеряемых концентраций Н2 в инертных газах 10-5-10-3%.

Для серийного производства полупроводниковых газоанализаторов применяют современные технологию микроэлектроники, что позволяет создавать измерительный преобразователь, включающий чувствительность элементов, систему термостатирования и усилитель электрического сигнала в виде отдельного микромодуля.