Гадолиний
Страница 2

Хлорид GdCl3 - белые кристаллы с гексагон. решеткой (а = 0,7363 нм, с = 0,4105 нм, z = 2); т. пл. 605 °С, т. кип. 1595°С; плотн. 4,541 г/см3; С° 98,3 Дж/(моль*К);Описание: http://inkat.ru/images/books/1331/referat/78574-10.jpg — 1005,4 кДж/моль; хорошо раств. в воде. Получают взаимод. С12 с Gd2(C2O4)3 и СС14 выше 200 °С, хлорированием Г. выше 200 °С и др.

Фторид GdF3 - белые кристаллы; при обычных условиях устойчива модификация с орторомбич. решеткой (а = = 0,6570 нм, Ь - 0,6984 нм, с = 0,4398 нм, z = 4, пространств. группа Рпта, плотн. 7,058 г/см3), к-рая при 1075 °С переходит в гексагональную с плотн. 7,33 г/см3; т. пл. 1232°С; Ср 89,71 Дж/(моль*К),Описание: http://inkat.ru/images/books/1331/referat/78574-11.jpg - 1713,3 кДж/моль. Получают взаимод. соед. Gd(lll) с газообразным HF или водных р-ров соед. Gd(III) с фтористоводородной к-той, термич. разложением фтораммонийных комплексов (напр., (NH4)3[GdF6]*nH2O) при 400-500 °С и др.

При переработке руд, содержащих РЗЭ, Г. концентрируется вместе с Sm, Eu, Tb, Du и Y, от к-рых он отделяется методами экстракции и ионного обмена. Металлич. Г. получают восстановлением GdCl3 или GdF3 кальцием. Г - компонент магн. сплавов с Fe, Ni, Co; перспективный материал регулирующих стержней ядерных реакторов (поглотитель нейтронов). Gd2O3, активированный Еu, - люминофор красного свечения, оксисульфид Gd, активированный Тb, - рентгенолюминофор. Гадолиний-галлиевый гранатматериал подложек для наращивания эпитаксиальных пленок железных гранатов, ювелирный поделочный камень и др. (см. Гранаты синтетические). Г. открыт в 1880 Ж. Мариньяком.

Страницы: 1 2 

Смотрите также

Производство поливинилбутираля
Химическая промышленность прошла бурный путь развития в период 50-х – 80-х годов. В отрасли был создан значительный производственный потенциал. Однако он был ориентирован на цели командно–а ...

Методика обработки экспериментальных данных
Вся процедура обработки экспериментальных данных может быть разделена на два этапа. На первом производится первичная обработка сведений, полученных при проведении эксперимента по химическом ...

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...