Образование химической связи в координационных соединениях объясняется с использованием как упомянутых в главе 3 методов валентных связей (МВС) и молекулярных орбиталей (ММО), так и специфического приближения – теории кристаллического поля (ТКП).
Электрохимические методы анализа
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...