Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Обсуждение результатов
Таким
образом, в предыдущих разделах рассмотрен материал, включающий различные методы
получения гетероциклических соединений реакциями замыкания цикла, свойства,
общую информацию, применение и полу ...