Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Потенциометрическое титрование и обработка результатов.
Общие
указания при потенциометрическом титровании применимы для большинства
потенциометрических титрований, но в отдельных случаях можно вносить небольшие
изменения.
1. &n ...
Исследование реологических свойств эпоксидных композиций
Выбор
компонентов разрабатываемых композиций с пониженной горючестью обусловлен
предъявлением ряда требований к полимерному составу: текучести, способности к
формированию карбонизованного о ...