Смотрите также

Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронн ...

Синтез и свойства комплексов железа (II) и железа (III)
Цель данной работы состоит в изучении строения и свойств комплексных соединений железа (II) и железа (III). В ходе выполнения работы были поставлены следующие задачи: 1) изучение литер ...

Приложение.
I.                   Некоторые физические константы: константа обозначение ...