Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Атом гелия. Двухэлектронный коллектив на примере атома гелия
1. Обозначение электронной конфигурации – это последовательное перечисление АО с указанием числа электронов справа от символа АО.
2. ...
Высокомолекулярные соединения
Среди многочисленных веществ, встречающихся в природе, резко
выделяется группа соединений, отличающихся от других особыми физическими
свойствами, высокой вязкостью растворов, способ ...