Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
P-V-T соотношения: реальный газ и идеальный газ
Механическое
состояние вещества в отличие от термодинамического можно описать при наличии
известных величин давления, температуры и объема. Эти три параметра связаны между
собой уравнением ...
Полимераналогичные превращения бутадиен-стирольных каучуков
Под реакциями полимеров понимают все химические превращения
заранее образовавшихся макромолекул. Эти реакции могут протекать с сохранением,
увеличением или уменьшением степени полимеризации. ...